انتقل إلى المحتوى

ملف:CMOS fabrication process.svg

محتويات الصفحة غير مدعومة بلغات أخرى.
من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة

الملف الأصلي(ملف SVG، أبعاده 512 × 2٬176 بكسل، حجم الملف: 7 كيلوبايت)

ملخص

الوصف
English: Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram can be scale.
التاريخ
المصدر عمل شخصي
المؤلف
إصدارات أخرى
SVG منشأ الملف
InfoField
 
الشيفرة المصدرية لهذا الرسم المتجه صالحة.
 
هذا الرسم المتجهي أُنشئ بواسطة unknown tool
 
 This icon uses embedded text that can be easily translated using a text editor.

ترخيص

أنا، صاحب حقوق التأليف والنشر لهذا العمل، أنشر هذا العمل تحت الرخص التالية:
w:ar:مشاع إبداعي
نسب العمل إلى مُؤَلِّفه الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل
يحقُّ لك:
  • مشاركة العمل – نسخ العمل وتوزيعه وبثُّه
  • إعادة إنتاج العمل – تعديل العمل
حسب الشروط التالية:
  • نسب العمل إلى مُؤَلِّفه – يلزم نسب العمل إلى مُؤَلِّفه بشكل مناسب وتوفير رابط للرخصة وتحديد ما إذا أجريت تغييرات. بالإمكان القيام بذلك بأية طريقة معقولة، ولكن ليس بأية طريقة تشير إلى أن المرخِّص يوافقك على الاستعمال.
  • الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل – إذا أعدت إنتاج المواد أو غيرت فيها، فيلزم أن تنشر مساهماتك المُشتقَّة عن الأصل تحت ترخيص الأصل نفسه أو تحت ترخيص مُتوافِقٍ معه.
GNU head يسمح نسخ وتوزيع و/أو تعديل هذه الوثيقة تحت شروط رخصة جنو للوثائق الحرة، الإصدار 1.2 أو أي إصدار لاحق تنشره مؤسسة البرمجيات الحرة؛ دون أقسام ثابتة ودون نصوص أغلفة أمامية ودون نصوص أغلفة خلفية. نسخة من الرخصة تم تضمينها في القسم المسمى GNU Free Documentation License.
لك أن تختار الرخصة التي تناسبك.

الشروحات

أضف شرحاً من سطر واحد لما يُمثِّله هذا الملف

العناصر المصورة في هذا الملف

يُصوِّر

١٦ أغسطس 2014

d519d7e6f9b783385926d1dfe46ad6c2f3b773d6

طريقة الاستدلال: SHA-1 الإنجليزية

٧٬٢٢٥ بايت

٢٬١٧٦ بكسل

٥١٢ بكسل

تاريخ الملف

اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.

زمن/تاريخصورة مصغرةالأبعادمستخدمتعليق
حالي16:29، 9 أكتوبر 2011تصغير للنسخة بتاريخ 16:29، 9 أكتوبر 2011512 × 2٬176 (7 كيلوبايت)Cmglee{{Information |Description ={{en|1=Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram is

لا توجد صفحات تستخدم هذا الملف.

الاستخدام العالمي للملف

الويكيات الأخرى التالية تستخدم هذا الملف:

بيانات وصفية