انتقل إلى المحتوى

ملف:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

محتويات الصفحة غير مدعومة بلغات أخرى.
من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة

الملف الأصلي ‏(ملف SVG، أبعاده 401 × 235 بكسل، حجم الملف: 7 كيلوبايت)

ملخص

الوصف
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt
التاريخ (UTC)
المصدر
المؤلف


هذا رسمٌ مُعَدَّلٌ رقميَّاً من النسخة الأصليَّة. التعديلات هي: translation to german, thickness ratio fixed, colored. يُمكن الاطلاع على النسخة الأصليَّة هنا: High-k.svg: . المُستخدم الذي أجرى التعديلات هو: Cepheiden.

ترخيص

أنا، صاحب حقوق التأليف والنشر لهذا العمل، أنشر هذا العمل تحت الرخص التالية:
w:ar:مشاع إبداعي
نسب العمل إلى مُؤَلِّفه الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل 		هذا الملفُّ مُرخَّص بموجب رخصة المشاع الإبداعي نسبة المُصنَّف إِلى مُؤَلِّفه - المشاركة بالمثل 3.0 العامة Subject to disclaimers.
يحقُّ لك:
  • مشاركة العمل – نسخ العمل وتوزيعه وبثُّه
  • إعادة إنتاج العمل – تعديل العمل
حسب الشروط التالية:
  • نسب العمل إلى مُؤَلِّفه – يلزم نسب العمل إلى مُؤَلِّفه بشكل مناسب وتوفير رابط للرخصة وتحديد ما إذا أجريت تغييرات. بالإمكان القيام بذلك بأية طريقة معقولة، ولكن ليس بأية طريقة تشير إلى أن المرخِّص يوافقك على الاستعمال.
  • الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل – إذا أعدت إنتاج المواد أو غيرت فيها، فيلزم أن تنشر مساهماتك المُشتقَّة عن الأصل تحت ترخيص الأصل نفسه أو تحت ترخيص مُتوافِقٍ معه.
تمت إضافة علامة الترخيص لهذا الملف كجزء من رخصة جنو للوثائق الحرة تحديث الترخيص.
GNU head يسمح نسخ وتوزيع و/أو تعديل هذه الوثيقة تحت شروط رخصة جنو للوثائق الحرة، الإصدار 1.2 أو أي إصدار لاحق تنشره مؤسسة البرمجيات الحرة؛ دون أقسام ثابتة ودون نصوص أغلفة أمامية ودون نصوص أغلفة خلفية. نسخة من الرخصة تم تضمينها في القسم المسمى GNU Free Documentation License.
لك أن تختار الرخصة التي تناسبك.

سجلُّ الرَّفع الأصيل

This image is a derivative work of the following images:

  • File:High-k.svg licensed with Cc-by-sa-3.0-migrated-with-disclaimers, GFDL-en, GFDL-user-en-note
    • 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc

Uploaded with derivativeFX

الشروحات

أضف شرحاً من سطر واحد لما يُمثِّله هذا الملف

العناصر المصورة في هذا الملف

يُصوِّر

البداية

٢٠ فبراير 2010

تدقيق المجموع

33126c73740bf2de2378f8d16da5c8de343332dc

طريقة الاستدلال: SHA-1 الإنجليزية

حجم البيانات

٧٬٤٣٤ بايت

الارتفاع

٢٣٥ بكسل

العَرض

٤٠١ بكسل

تاريخ الملف

اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.

زمن/تاريخصورة مصغرةالأبعادمستخدمتعليق
حالي08:52، 20 فبراير 2010تصغير للنسخة بتاريخ 08:52، 20 فبراير 2010401 × 235 (7 كيلوبايت)Cepheidensvg fix
08:51، 20 فبراير 2010تصغير للنسخة بتاريخ 08:51، 20 فبراير 2010401 × 235 (7 كيلوبايت)Cepheidensmall fixes
08:45، 20 فبراير 2010تصغير للنسخة بتاريخ 08:45، 20 فبراير 2010401 × 235 (7 كيلوبايت)Cepheiden{{Information |Description={{en|Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.}} {{de|Vergleich eines konventio

الصفحة التالية تستخدم هذا الملف:

الاستخدام العالمي للملف

الويكيات الأخرى التالية تستخدم هذا الملف:

مجلوبة من «https://ar.wikipedia.org/wiki/ملف:Common_SiO2_vs_high-k_gate_stack_(DE).svg»