أكسيد الزنك والغاليوم والإنديوم
أكسيد الزنك والغاليوم والإنديوم (IGZO) هو شبه موصل يتألف من عناصر الإنديوم والغاليوم واالزنك، بالإضافة إلى الأكسجين على شكل أكسيد.
تستخدم هذه المادة شبه الموصلة في تصنيع ترانزستورات الغشاء الرقيق (TFT) في دارات الشاشات المسطحة، وكانت تلك الترانزستورات قد طورت لأول مرة في معهد طوكيو للتكنولوجيا بالتعاون مع وكالة العلوم والتكنولوجيا اليابانية في سنة 2003.[1][2][3]
طالع أيضاً[عدل]
المراجع[عدل]
- ^ Nomura، K؛ Ohta، H؛ Ueda، K؛ Kamiya، T؛ Hirano، M؛ Hosono، H (23 مايو 2003). "Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor". Science. ج. 300 ع. 5623: 1269–1272. Bibcode:2003Sci...300.1269N. DOI:10.1126/science.1083212. PMID:12764192. S2CID:20791905.
- ^ "To whom interested in Research & Development and/or Business Development of IGZO-based Oxide Semiconductor TFT". Jst.go.jp. مؤرشف من الأصل في 2023-04-10. اطلع عليه بتاريخ 2015-11-01.
- ^ Nomura، K؛ Ohta، H؛ Takagi، A؛ Kamiya، T؛ Hirano، M؛ Hosono، H (نوفمبر 2004). "Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors". Nature. ج. 432 ع. 7016: 488–492. Bibcode:2004Natur.432..488N. DOI:10.1038/nature03090. PMID:15565150. S2CID:4302869.
